站長資訊網近年來，功率半導體市場需求量持續提升，是半導體行業最大的消費市場，國內也孕育了一批又一批的功率半導體廠商，其中就包含華微電子。華微電子是行業的領頭羊，憑借多年技術與經驗積累，率領行業推動國產化替代加速。
早在20世紀60年代初，國家就在東北三省布局建設以遼晶、哈晶為代表的十多家半導體廠，但時至今日，只有華微電子生存下來，并逐步發展壯大，成為我國東北地區碩果僅存的整建制半導體企業。
華微電子認為，創新創新、技術進步是發展動力。華微電子一直重視研發和技術人才培養，是國家級企業技術中心，國家創新型企業、國家博士后科研工作站，公司每年對試驗室進行可持續投入，以提升自主創新能力建設。
2013年以來，華微電子研發支出不斷上升，研發支出總額占營業收入的6%左右，研發人員600人以上，多的時候達到754人，研發人員數量占比始終保持30%以上。
根據相關人員介紹，華微電子技術中心建有專門的實驗室，其中包含EDA器件工藝仿真實驗室，應用實驗室、失效分析實驗室、可靠性實驗室、大功率實驗室、計量實驗室，而且失效分析實驗室和計量實驗室獲得CNAS認證。
近年來，華微電子通過積極引進先進技術與標準，廣泛開展產學研等技術交流與合作，建立技術研發與技術標準相結合的管理機制，注重先進技術的運用、消化和吸收，并逐步在FRD、IGBT、SBD VDMOS等產品開發中推廣運用，公司的技術實力也得到顯著提高，其中1350VTrench IGBT項目，成功攻克深槽刻蝕與填充、高均勻性多晶回刻與刻蝕工藝、Ti/Tin淀積與RTP退火工藝等難題;Trench IGBT工藝平臺的開發成功，讓華微電子在功率器件研制開發方面更為全面，將進一步促進國內新型電力電子產業發展，提高節能減排關鍵部件的國產化水平以及權重。
此外，在新能源汽車雙面散熱模塊，華微電子實現功率模塊雙面散熱超博結構，縮小模塊體積，提高模塊功率密度和效率，降低功率損耗，適應未來電控系統輕量化要求，產品技術將達到同等國際標桿水平。同時，公司開發高壓3300V～4500V的IGBT和FRD產品，實現超高壓大功率器件的國產化。
2006年7月，華微電子被全國博士后管委會辦公室確認為新設站。
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