中芯國(guó)際：明年FinFET先進(jìn)工藝產(chǎn)能滿載

　　上周中芯國(guó)際發(fā)布了Q3季度財(cái)報(bào)，并透露了最新進(jìn)展，生產(chǎn)連續(xù)性已經(jīng)基本穩(wěn)定，成熟工藝擴(kuò)產(chǎn)有序推進(jìn)，整體擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度如期達(dá)成;先進(jìn)工藝業(yè)務(wù)亦穩(wěn)步提升。

　　在中芯國(guó)際的先進(jìn)工藝中，目前已經(jīng)量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝就是第一代FinFET，包括14nm及改進(jìn)型的12nm工藝，不過(guò)中芯國(guó)際沒有公布具體的營(yíng)收占比，Q3季度中FinFET+28nm工藝合計(jì)貢獻(xiàn)18.%的營(yíng)收，成為第三大來(lái)源。

　　在技術(shù)方面，中芯國(guó)際表示，F(xiàn)inFET客戶拓展多樣化效應(yīng)進(jìn)一步顯現(xiàn)，流片項(xiàng)目陸續(xù)進(jìn)行量產(chǎn)，產(chǎn)能利用率不斷提升，智能手機(jī)、家用互聯(lián)、數(shù)據(jù)處理、工業(yè)電子等都對(duì)FinFET有巨大需求，中芯國(guó)際會(huì)在條件具備的情況下根據(jù)客戶的需求進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。

　　至于2022年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，中芯國(guó)際提到，明年的的增長(zhǎng)會(huì)高于行業(yè)平均水平，今年12英寸擴(kuò)10k(1萬(wàn)片晶圓/月)，FinFET工藝15K產(chǎn)能利用率滿的，12英寸成熟制程產(chǎn)能也是滿的，具體的產(chǎn)能增長(zhǎng)將在明年2月給出細(xì)則。

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