羅姆：新一代半導(dǎo)體的氮化鎵將在 2022 年春季之前量產(chǎn)

　　據(jù)日經(jīng)亞洲評論 2 月 11 日報(bào)道，羅姆將在 2022 年春季之前開始量產(chǎn)被視為新一代半導(dǎo)體的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導(dǎo)體”，據(jù)稱和此前的硅半導(dǎo)體相比，新產(chǎn)品能把電流切換時的損耗減少 6 成。羅姆將在日本濱松市的工廠建設(shè)生產(chǎn)設(shè)備，首先面向 5G 基站等供貨。

　　羅姆將量產(chǎn)能承受 150 伏電壓的產(chǎn)品，用于數(shù)據(jù)中心和通信基站。在 2021 年 9 月，已經(jīng)啟動樣品供貨。新產(chǎn)品采取在硅晶圓之上形成氮化鎵層的結(jié)構(gòu)，包括濱松市工廠在內(nèi)，羅姆將在海內(nèi)外各基地進(jìn)行生產(chǎn)。

　　羅姆力爭在 2025 財(cái)年(截至 2026 年 3 月)之前，使半導(dǎo)體元件業(yè)務(wù)的營業(yè)收入達(dá)到目前的 1.5 倍，增至 2100 億日元規(guī)模。

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