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三星將于2016年末全面轉向10nm FinFET工藝

  盡管三星才在新款Galaxy S6上部署了采用14nm工藝生產(chǎn)的芯片,但是這家電子巨頭的半導體部門又馬不停蹄地公布了10nm FinFET工藝的生產(chǎn)計劃。該公司稱,其將在2016年末的時候全面轉向新工藝,并帶來功耗、面積和性能上的顯著提升。作為三星電子的競爭對手,臺積電也公布了自家10nm工藝的生產(chǎn)計劃(同為明年下半年),以報今年被三星16/14nm工藝碾壓之仇。

三星將于2016年末全面轉向10nm FinFET工藝

  英特爾方面,該公司在10nm競賽上有些落后,但面對的領域也稍有些不同,目前該公司仍未透露相關計劃。

  除了生產(chǎn)規(guī)模更小的Exynos SoC,三星或許還會在今年晚些時候將稍舊的14nm工藝產(chǎn)能開放代工。在這之后,產(chǎn)能滿滿的三星還有可能將10nm的產(chǎn)能繼續(xù)放開。因此臺積電今年在搶奪蘋果和高通訂單上的失利局面,或許會延續(xù)到新的一年。

三星將于2016年末全面轉向10nm FinFET工藝

  上個月,三星剛剛給出了其14納米工藝的詳細路線圖。目前該公司在韓國和德州奧斯汀有兩座芯片廠,Global Foundries在紐約某廠子也在用著它的14nm工藝,盡管該公司暫未給出任何盈利和數(shù)量上的數(shù)據(jù)。

  但不管怎樣,其花在14nm和16nm節(jié)點上的時間都可能不會太長,因其工廠正在迅速轉向成本更低、效率更高的10nm工藝。

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