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三星揭曉業(yè)內(nèi)首款單條 512GB DDR5 內(nèi)存,頻率達 7200MHz

  8 月 23 日消息 隨著年底英特爾 12 代酷睿 Alder Lake 系列以及 AMD 下一代 Zen4 處理器的到來,DDR5 內(nèi)存將步入大眾生活,在此之前,各家存儲半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開始推廣其新一代 DDR5 內(nèi)存。

  在今日的 HotChips 33 上,AMD 等一眾行業(yè)巨頭均有參會,其中三星便揭曉了業(yè)內(nèi)首款單條 512GB 的 DDR5 內(nèi)存條(消費級 64GB),采用標(biāo)準(zhǔn) JEDEC DDR5-7200 時序,頻率更是高達 7200MHz。

三星揭曉業(yè)內(nèi)首款單條 512GB DDR5 內(nèi)存,頻率達 7200MHz

▲ 圖源:三星

  據(jù)介紹,三星這個 512 GB 的 DDR5 內(nèi)存專為服務(wù)器和企業(yè)使用而設(shè)計,比起現(xiàn)今市場上最高端的 256 GB 模塊更上一層樓,但為了實現(xiàn)這一目標(biāo),三星一直在引入一些新特性和功能,恐怕其價格會讓常人難以企及。

  與 DDR4 相比,三星的 DDR5-7400 內(nèi)存僅用 1.1V 的電壓就達到了 DDR4 140% 的性能和兩倍的容量,似乎除了貴真的沒什么缺點。

  三星 DDR5-7200 內(nèi)存采用 8 顆堆疊 DDR5 芯片,并通過 TSV 互連。

  之前 DDR4 最多為四顆 DDR4 Die,所以目前來看 DDR5 更加密集(堆棧尺寸為 1.0mm,DDR4 為 1.2mm),能夠減少 40% 的間隙,從而降低堆棧的高度。

  據(jù)三星電子,該公司在 DDR5-7200 內(nèi)存模塊上實現(xiàn)了“ Same-Bank”,宣稱其 DRAM 總線的效率提高了 10%。此外,該公司還涉及了新的決策反饋均衡器 (DFE),有助于提高信號穩(wěn)定性。

三星揭曉業(yè)內(nèi)首款單條 512GB DDR5 內(nèi)存,頻率達 7200MHz
三星揭曉業(yè)內(nèi)首款單條 512GB DDR5 內(nèi)存,頻率達 7200MHz

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