站長資訊網1 月 12 日消息，根據外媒 techspot 報道，本月早些時候，英國蘭開斯特大學物理與工程系的研究人員發(fā)表了一篇論文，詳細介紹了 UltraRAM“超高效存儲”技術近期取得的重要進展。
這項技術的目標是將非易失閃存 NAND、易失性內存 RAM 結合在一起，兼顧能效，具有極高的耐用性。此前，英特爾 Optane 傲騰已經做出了先行嘗試，量產了傲騰內存產品，但是仍不足以完全替代 RAM。與此同時，三星也有 Z-NAND 技術，鎧俠和西部數據也希望將 XL-FLASH 存儲應用到消費級或企業(yè)級存儲產品中。
具體來看，UltraRAM 芯片的制造工藝，與 LED、激光器、光電晶體管等半導體元件相似。從結構上看，這種存儲技術采用硅襯底，相比砷化鎵成本大幅降低。芯片具有復雜的多層結構，中央的結構還使用了氧化鋁進行隔離。
科學家表示，UltraRAM 的制造成本比較低，其擁有很高的性價比。目前已經制造出的測試用原型，可以保證數據能夠保存 1000 年，擦寫次數可以超過 1000 萬，幾乎不需要考慮耐久性。如果這種存儲芯片能夠實現比肩傳統(tǒng) RAM 的速度的話，將會對行業(yè)產生重大影響。
制造過程圖解：
UltraRAM 使用“共振隧穿”量子力學效應，在施加電壓后，允許勢壘從不透明轉為透明。與 RAM 和 NAND 閃存使用的寫入技術相比，UltraRAM 的寫入過程非常節(jié)能，因此有助于提高移動設備的續(xù)航時間。
蘭開斯特大學的研究人員表示，他們需要進一步改進存儲單元的制造工藝，提高存儲密度。這項技術有很大的潛力，可以消除傳統(tǒng)計算機與專用內存進行數據傳輸的過程。
特別提醒：本網信息來自于互聯網，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關內容。本站不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如若本網有任何內容侵犯您的權益，請及時聯系我們，本站將會在24小時內處理完畢。
