站長資訊網三星的晶圓代工部門最近負面不斷，此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率，以致于高通這樣的VIP客戶都要出走，重新使用臺積電生產驍龍8處理器。
不過從技術上來說，三星現在依然是唯一能緊追臺積電的晶圓代工廠，雖然在7nm、5nm及4nm節點上落后了一些，但在接下來的3nm節點三星更激進，要全球首發GAA晶體管工藝，放棄FinFET晶體管技術，而臺積電的3nm工藝依然會基于FinFET工藝。
三星之前表示，GAA是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。
根據三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優于臺積電3nm FinFET工藝。
當然，這些還是紙面上的，三星的3nm工藝挑戰也不少，光是量產就是個問題，之前三星宣傳2021年就量產，實際上并沒有，最快也是今年，而且首發的是3GAE低功耗工藝，高性能的3GAP工藝至少要2023年了。
據韓國媒體報道，三星已經準備在韓國平澤市的P3工廠開工建設3nm晶圓廠了，6、7月份動工，并及時導入設備。
按照這個進度，今年的3GAE工藝應該也只會是小規模試產，大規模量產也要到明年了，跟臺積電的3nm工藝差不多，兩家都因為種種問題延期量產3nm工藝了。
特別提醒：本網信息來自于互聯網，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關內容。本站不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如若本網有任何內容侵犯您的權益，請及時聯系我們，本站將會在24小時內處理完畢。
